★數(shù)字地和模擬地處理的基本原則如下：
1模擬地和數(shù)字地之間鏈接
(1)模擬地和數(shù)字地間串接電感一般取值多大?
一般用幾uH到數(shù)十uH。
(2)用0歐電阻是最佳選擇 (1)可保證直流電位相等、(2)單點接地(限制噪聲)、(3)對所有頻率的噪聲都有衰減作用(0歐也有阻抗，而且電流路徑狹窄，可以限制噪聲電流通過)。
磁珠相當于帶阻陷波器，只對某個頻點的噪聲有抑制作用，如果不能預知噪點，如何選擇型號，況且，噪點頻率也不一定固定，故磁珠不是一個好的選擇。
電容不通直流，會導致壓差和靜電積累，摸機殼會麻手。如果把電容和磁珠并聯(lián)，就是畫蛇添足，因為磁珠通直，電容將失效。串聯(lián)的話就顯得不倫不類。
電感特性不穩(wěn)定，離散分布參數(shù)不好控制，體積大。電感也是陷波，LC諧振(分布電容)，對噪點有特效。
總之，關鍵是模擬地和數(shù)字地要一點接地。
建議，不同種類地之間用0歐電阻相連;電源引入高頻器件時用磁珠;高頻信號線耦合用小電容;電感用在大功率低頻上。
2 磁珠
電感和磁珠的什么聯(lián)系與區(qū)別
電感是儲能元件，而磁珠是能量轉換(消耗)器件
電感多用于電源濾波回路，磁珠多用于信號回路，用于EMC對策
磁珠主要用于抑制電磁輻射干擾，而電感用于這方面則側重于抑制傳導性干擾。兩者都可用于處理EMC、EMI問題。
磁珠是用來吸收超高頻信號，象一些RF電路，PLL，振蕩電路，含超高頻存儲器電路(DDR SDRAM，RAMBUS等)都需要在電源輸入部分加磁珠，而電感是一種蓄能元件，用在LC振蕩電路，中低頻的濾波電路等，其應用頻率范圍很少超過錯50MHZ。
★地的連接一般用電感，電源的連接也用電感，而對信號線則采用磁珠?
但實際上磁珠應該也能達到吸收高頻干擾的目的啊?而且電感在高頻諧振以后都不能再起電感的作用了……
先必需明白EMI的兩個途徑，即：輻射和傳導，不同的途徑采用不同的抑制方法。前者用磁珠，后者用電感。
對于扳子的IO部分，是不是基于EMC的目的可以用電感將IO部分和扳子的地進行隔離，比如將USB的地和扳子的地用10uH的電感隔離可以防止插拔的噪聲干擾地平面?
電感一般用于電路的匹配和信號質量的控制上。在模擬地和數(shù)字地結合的地方用磁珠。
在模擬地和數(shù)字地結合的地方用磁珠。數(shù)字地和模擬地之間的磁珠用多大
磁珠的大小(確切的說應該是磁珠的特性曲線)
取決于你需要磁珠吸收的干擾波的頻率
為什么磁珠的單位和電阻是一樣的呢??都是歐姆!!
磁珠就是阻高頻嘛，對直流電阻低，對高頻電阻高，不就好理解了嗎，
比如1000R@100Mhz就是說對100M頻率的信號有1000歐姆的電阻
因為磁珠的單位是按照它在某一頻率產(chǎn)生的阻抗來標稱的，阻抗的單位也是歐姆。磁珠的datasheet上一般會附有頻率和阻抗的特性曲線圖。一般以100MHz為標準，比如2012B601，就是指在100MHz的時候磁珠的Impedance為600歐姆。
在很多產(chǎn)品中，交換機的兩個地用電容連接起來，為什么不用電感? 你說的兩個地，其中一個是不是機殼的?
我估計(以下全部估計，有錯請指點)
如果用磁珠或者直接相連的話，
人體靜電等意外電平會輕易進入交換機的地，
這樣交換機工作就不正常了。
但如果它們之間斷開，那么遭受雷擊或者其他高壓的時候，兩個地之間的電火花引起起火……
加電容則避免這種情況。
對于加電容的解釋我也覺得很勉強呵呵，
請高手指教!
交換機的地，是通過兩個地之間的之間的電容去消除諧波。就像高阻抗的變壓器一樣，他附加了一個消除諧波的通路!我自己認為!請指正!
鐵氧體材料是鐵鎂合金或鐵鎳合金，這種材料具有很高的導磁率，他可以是電感的線圈繞組之間在高頻高阻的情況下產(chǎn)生的電容最小。鐵氧體材料通常在高頻情況下應用，因為在低頻時他們主要程電感特性，使得線上的損耗很小。在高頻情況下，他們主要呈電抗特性比并且隨頻率改變。實際應用中，鐵氧體材料是作為射頻電路的高頻衰減器使用的。實際上，鐵氧體較好的等效于電阻以及電感的并聯(lián)，低頻下電阻被電感短路，高頻下電感阻抗變得相當高，以至于電流全部通過電阻。鐵氧體是一個消耗裝置，高頻能量在上面轉化為熱能，這是由他的電阻特性決定的。
線圈，磁珠
有一匝以上的線圈習慣稱為電感線圈，少于一匝(導線直通磁環(huán))的線圈習慣稱之為磁珠。用途由起所需電感量決定。
請教：對于驊訊的USB聲卡方案中，在UBS電源端與地端也分別接有一個磁珠，不知是否有人清楚，但是在實際生產(chǎn)中也有些工程把磁珠用電感去代替了，請問這樣可以嗎?
那里的磁珠是起什么作用喲?
作為電源濾波，可以使用電感。
磁珠的電路符號就是電感
但是型號上可以看出使用的是磁珠
在電路功能上，磁珠和電感是原理相同的，只是頻率特性不同罷了
★數(shù)字地和模擬地處理的基本原則如下：
1)、若為低頻模擬電路，加粗和縮短地線;單點接地，可有效防止由于地線公共阻抗而導致的部件之間的互相干擾。而高頻電路和數(shù)字電路，地線的電感效應較嚴重，單點接地會導致實際地線加長，故應多點接地和單點接地相結合。
2)、高頻電路還應考慮如何抑制高頻輻射噪聲。方法如下：應盡量加粗地線，以降低噪聲對地阻抗;大面積(滿)接地，即除傳輸信號及電源的印制線以外，其余部分全覆銅作為地線，但不要留有死的無用大面積銅箔。
3)、地線應構成環(huán)路，以防止產(chǎn)生高頻輻射噪聲，但環(huán)路面積不可過大，以免產(chǎn)生較大的感應電流。注意若為低頻電路，則應避免地線環(huán)路。
4)、數(shù)字電源和模擬電源最好隔離，地線分開布置，如果有A/D轉換電路，則只在盡量靠近該器件處單點接地。
1)、若為低頻模擬電路，加粗和縮短地線;單點接地，可有效防止由于地線公共阻抗而導致的部件之間的互相干擾。而高頻電路和數(shù)字電路，地線的電感效應較嚴重，單點接地會導致實際地線加長，故應多點接地和單點接地相結合。
2)、高頻電路還應考慮如何抑制高頻輻射噪聲。方法如下：應盡量加粗地線，以降低噪聲對地阻抗;大面積(滿)接地，即除傳輸信號及電源的印制線以外，其余部分全覆銅作為地線，但不要留有死的無用大面積銅箔。
3)、地線應構成環(huán)路，以防止產(chǎn)生高頻輻射噪聲，但環(huán)路面積不可過大，以免產(chǎn)生較大的感應電流。注意若為低頻電路，則應避免地線環(huán)路。
4)、數(shù)字電源和模擬電源最好隔離，地線分開布置，如果有A/D轉換電路，則只在盡量靠近該器件處單點接地。
問題：
數(shù)字地和模地低之間應該想一些辦法進行隔離噪聲，我搜到的方法有接0電阻，電感，電容和磁珠，不知道哪種方法比較好，各是針對什么情況使用的?另外，我的電路有器件正好數(shù)字地和模擬地在一起，那該怎么辦?謝謝各位高手指點!
回答：
磁珠的等效電路相當于帶阻限波器，只對某個頻點的噪聲有顯著抑制作用，使用時需要預先估計噪點頻率，以便選用適當型號。對于頻率不確定或無法預知的情況，磁珠不合。 電容隔直通交，造成浮地(模擬地和數(shù)字地沒有接在一起，存在壓差，容易積累電荷，造成靜電)。電感體積大，雜散參數(shù)多，不穩(wěn)定。 0歐電阻相當于很窄的電流通路，能夠有效地限制環(huán)路電流，使噪聲得到抑制。電阻在所有頻帶上都有衰減作用(0歐電阻也有阻抗)，這點比磁珠強。
